БЫСТРАЯ ТЕРМООБРАБОТКА НЕКОГЕРЕНТНЫМ ИК-ИЗЛУЧЕНИЕМ...

Main
БЫСТРАЯ ТЕРМООБРАБОТКА НЕКОГЕРЕНТНЫМ...

БЫСТРАЯ ТЕРМООБРАБОТКА НЕКОГЕРЕНТНЫМ ИК-ИЗЛУЧЕНИЕМ КОНТАКТОВ К КАРБИДУ КРЕМНИЯ

АГЕЕВ О.А.

0 / 0

Bu kitabı ne kadar beğendiniz?

İndirilen dosyanın kalitesi nedir?

Kalitesini değerlendirmek için kitabı indirin

İndirilen dosyaların kalitesi nedir?

Dil:

russian

ISBN 10:

5832701526

ISBN 13:

9785832701523

Dosya:

PDF, 3.82 MB

IPFS:

,

russian0

İndir (pdf, 3.82 MB)

'e dönüştürme devam ediyor

dosyasına dönüştürme başarısız oldu

İlginizi çekebilir

Бабушкина Л. Г. — Конструирование и технология производства микросхем

Вейко В.П., Шахно Е.А. — Сборник задач по лазерным технологиям.

Богомазова, Наталья Валентиновна — Основы материаловедения

Шабурова, Н. А. (авт.) — Тепломассообмен

Брук В. — Производство полупроводниковых приборов

Курносов А. — Технология производства полупроводниковых приборов

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Натапов Б.С. — Термическая обработка металлов

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

Романовский Е.А., Коваль А.Г., Мельничук И.А., Борисов А.Г., Бажин А.И., Рыжов В.Н., Дробнич В.Г., Медведев С.Ю., Поп С.С., Есаулов В.А., Петухов В.П., Мирахмедов М.Н., Шароди И.С., Бандурин Ю.А., Белых Л.С., Дащенко А.И., Грицына В.В. И др. — Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XII международной конференции 5-8 октября 1995 г. Том 2

Бернст Р. — Технология термической обработки стали.

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. — Технология интегральной электроники

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. и др. — Технология интегральной электроники

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Верхотурова И.В., Петраченко Ю.А. — Технология лазерной обработки

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

— Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах 2010

Скоробогатова Л.А., Зубрицкий С.М., Петров А.Л., Семёнов А.Л. — Технологии материалов для микро - и наноэлектроники

Рыжиков И.В. — Лекции по технологии микро-электронных устройств

Рейви К. — Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии

Колобов Н.А., Самохвалов М.М. — Диффузия и окисление полупроводников

Светличный А.М., Наумченко А.С. — Конспект лекций по дисциплине Лучевые и плазменные методы формирования наноструктур интегральной электроники

Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. — Импульсный отжиг полупроводниковых материалов

— Материалы и технологии гибкой электроники 2014

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Филяк М. М. — Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Сост. СП. Зимин — Методы контроля технологических процессов в электронике: Методические указания по выполнению лабораторных работ

Емельянов, В. А. — Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Зимин С.П. — Электрофизика пористого кремния и структур на его основе(Диссертация)

Подлесных А.П. — Радиаторы для стандартных модулей вторичного электропитания

Анохин В.З., и др. — Практикум по химии и технологии полупроводников

Коллектив авторов — Микроэлектромеханика

Вейко В.П., Шахно Е.А. — Сборник задач по лазерным технологиям

Анненков Ю.М., Михайлов М.М., Шарафутдинова В.В., Меркулов В. И. — Основы электротехнологий: Практикум

Anahtar ifadeler

температуры

излучения

пластины

зависимости

контактов

поверхности

структуры

облученности

напряжений

обработки

различных

реакционной

представлены

приборов

структур

подложки

структурах

электроники

зависимость

напряжения

значения

концентрации

коэффициента

поглощения

светличный

излучением

температур

деформации

некогерентным

контакта

коэффициент

распределение

результаты

градиентов

определяется